主要推廣的產(chan)品如(ru)下：

中央除塵(chen)(chen)（集塵(chen)(chen)）設備、廢氣處理設備、打磨(mo)系統除塵(chen)(chen)設備、無塵(chen)(chen)噴漆房(fang)(fang)、烘干(gan)房(fang)(fang)、烤漆房(fang)(fang)、高(gao)效除塵(chen)(chen)風機、智能(neng)電控系統、火花探測及熄滅系統。

1、吸收設備：

吸收(shou)法采用低揮發或不揮發性(xing)溶(rong)劑(ji)對VOCs進行(xing)吸收(shou)，再利用VOCs和吸收(shou)劑(ji)物理(li)性(xing)質的差異進行(xing)分離(li)。

含VOCs的(de)(de)氣(qi)(qi)體自(zi)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)塔(ta)(ta)底(di)部(bu)(bu)進入塔(ta)(ta)內，在上升過(guo)(guo)程中(zhong)與來自(zi)塔(ta)(ta)頂(ding)的(de)(de)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)劑(ji)(ji)逆(ni)流(liu)接(jie)觸，凈化后(hou)(hou)的(de)(de)氣(qi)(qi)體由塔(ta)(ta)頂(ding)排出。吸(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)了VOCs的(de)(de)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)劑(ji)(ji)通(tong)過(guo)(guo)熱(re)交換器(qi)后(hou)(hou)，進入汽提(ti)塔(ta)(ta)頂(ding)部(bu)(bu)，在溫(wen)度高于(yu)(yu)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)溫(wen)度或(huo)壓(ya)(ya)力(li)低(di)(di)于(yu)(yu)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)壓(ya)(ya)力(li)的(de)(de)條件下(xia)解吸(xi)(xi)(xi)。解吸(xi)(xi)(xi)后(hou)(hou)的(de)(de)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)劑(ji)(ji)經(jing)過(guo)(guo)溶劑(ji)(ji)冷凝(ning)器(qi)冷凝(ning)后(hou)(hou)回(hui)到吸(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)塔(ta)(ta)。解吸(xi)(xi)(xi)出的(de)(de)VOCs氣(qi)(qi)體經(jing)過(guo)(guo)冷凝(ning)器(qi)、氣(qi)(qi)液分離器(qi)后(hou)(hou)以較純的(de)(de)VOCs氣(qi)(qi)體離開汽提(ti)塔(ta)(ta)，被(bei)回(hui)收(shou)(shou)(shou)利用。該工藝(yi)適(shi)合于(yu)(yu)VOCs濃度較高、溫(wen)度較低(di)(di)的(de)(de)氣(qi)(qi)體凈化，其(qi)他情況下(xia)需要(yao)作相應的(de)(de)工藝(yi)調(diao)整。

2、吸附設備：

在(zai)用多(duo)(duo)孔性固(gu)體(ti)物質(zhi)處理流體(ti)混合(he)物時，流體(ti)中(zhong)的(de)某一組(zu)(zu)分或某些組(zu)(zu)分可被吸(xi)表面并濃集其上，此現象稱(cheng)為(wei)吸(xi)附。吸(xi)附處理廢氣時，吸(xi)附的(de)對象是氣態污染(ran)物，氣固(gu)吸(xi)附。被吸(xi)附的(de)氣體(ti)組(zu)(zu)分稱(cheng)為(wei)吸(xi)附質(zhi)，多(duo)(duo)孔固(gu)體(ti)物質(zhi)稱(cheng)為(wei)吸(xi)附劑。

固體表(biao)面(mian)吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)了吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)質后，一(yi)(yi)部被(bei)吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)的(de)吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)質可從吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)劑(ji)表(biao)面(mian)脫離，此(ci)(ci)現附(fu)。而當吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)進行(xing)一(yi)(yi)段時間后，由于表(biao)面(mian)吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)質的(de)濃集，使其吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)能力明顯下降而吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)凈化的(de)要求，此(ci)(ci)時需要采用(yong)一(yi)(yi)定的(de)措施使吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)劑(ji)上已吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)的(de)吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)質脫附(fu)，以協的(de)吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)能力，這個過(guo)程稱為(wei)吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)劑(ji)的(de)再生(sheng)(sheng)。因此(ci)(ci)在實際吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)工(gong)程中，正(zheng)是(shi)利用(yong)吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)一(yi)(yi)再生(sheng)(sheng)一(yi)(yi)再吸(xi)(xi)(xi)(xi)(xi)附(fu)的(de)循環(huan)過(guo)程，達到除去廢氣中污染物質并(bing)回(hui)收廢氣中有用(yong)組分。

3、凈化設備：

燃燒(shao)法用于處理(li)高濃度Voc與有(you)惡臭(chou)的化(hua)合物很有(you)效，其原理(li)是用過量的空氣(qi)使這(zhe)些雜質燃燒(shao)，大(da)多(duo)數生成(cheng)二氧化(hua)碳和水蒸氣(qi)，可以(yi)排放到大(da)氣(qi)中。但當處理(li)含氯和含硫的有(you)機化(hua)合物時，燃燒(shao)生成(cheng)產(chan)物中HCl或SO2，需要對燃燒(shao)后氣(qi)體進(jin)一步處理(li)。

4、治理設備：

等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)就是(shi)處(chu)(chu)于電(dian)(dian)離(li)(li)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)的(de)氣體(ti)(ti)(ti)，其(qi)英(ying)文名稱(cheng)是(shi)plasma，它是(shi)由美國科學(xue) muir，于1927年在(zai)研究低(di)氣壓下汞蒸氣中(zhong)放(fang)電(dian)(dian)現象時命名的(de)。等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)由大量的(de)子(zi)(zi)、中(zhong)性(xing)(xing)原子(zi)(zi)、激發態(tai)(tai)原子(zi)(zi)、光(guang)子(zi)(zi)和(he)(he)自由基(ji)等(deng)組成，但電(dian)(dian)子(zi)(zi)和(he)(he)正離(li)(li)子(zi)(zi)的(de)電(dian)(dian)荷數必(bi)須體(ti)(ti)(ti)表現出電(dian)(dian)中(zhong)性(xing)(xing)，這就是(shi)“等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)”的(de)含(han)義(yi)。等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)具有導(dao)電(dian)(dian)和(he)(he)受(shou)電(dian)(dian)磁影響的(de)許多方面(mian)與固(gu)體(ti)(ti)(ti)、液體(ti)(ti)(ti)和(he)(he)氣體(ti)(ti)(ti)不同，因此(ci)又有人把它稱(cheng)為物質的(de)第四種(zhong)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)。根(gen)據狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)、溫(wen)(wen)度和(he)(he)離(li)(li)子(zi)(zi)密(mi)度，等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)通常可以分為高溫(wen)(wen)等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)和(he)(he)低(di)溫(wen)(wen)等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)（包子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)和(he)(he)冷(leng)等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)）。其(qi)中(zhong)高溫(wen)(wen)等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)的(de)電(dian)(dian)離(li)(li)度接近1，各種(zhong)粒(li)子(zi)(zi)溫(wen)(wen)度幾乎相同系處(chu)(chu)于熱力(li)學(xue)平衡狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)，它主要應(ying)用在(zai)受(shou)控(kong)熱核(he)反應(ying)研究方面(mian)。而(er)低(di)溫(wen)(wen)等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)則(ze)學(xue)非平衡狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)，各種(zhong)粒(li)子(zi)(zi)溫(wen)(wen)度并不相同。其(qi)中(zhong)電(dian)(dian)子(zi)(zi)溫(wen)(wen)度( Te)≥離(li)(li)子(zi)(zi)溫(wen)(wen)度(Ti)，可達104K以上，而(er)其(qi)離(li)(li)子(zi)(zi)和(he)(he)中(zhong)性(xing)(xing)粒(li)子(zi)(zi)的(de)溫(wen)(wen)度卻可低(di)到300～500K。一般氣體(ti)(ti)(ti)放(fang)電(dian)(dian)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)屬于低(di)溫(wen)(wen)等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)。

截(jie)至2013年，對低(di)溫等(deng)離(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)的作用機(ji)理研究認(ren)為(wei)是粒子(zi)(zi)(zi)非彈性碰撞的結果。低(di)溫等(deng)離(li)富含(han)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)、離(li)子(zi)(zi)(zi)、自由(you)基和激發(fa)態分子(zi)(zi)(zi)，其中高(gao)能電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)與(yu)氣(qi)(qi)體(ti)分子(zi)(zi)(zi)（原(yuan)子(zi)(zi)(zi)）發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)撞，將能量轉(zhuan)換成(cheng)(cheng)基態分子(zi)(zi)(zi)（原(yuan)子(zi)(zi)(zi)）的內(nei)能，發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)激發(fa)、離(li)解和電(dian)(dian)(dian)離(li)等(deng)一(yi)(yi)系(xi)列過秸處(chu)于(yu)(yu)活化(hua)(hua)狀態。一(yi)(yi)方面打開了氣(qi)(qi)體(ti)分子(zi)(zi)(zi)鍵，生(sheng)(sheng)(sheng)成(cheng)(cheng)一(yi)(yi)些單分子(zi)(zi)(zi)和固體(ti)微粒；另一(yi)(yi)力生(sheng)(sheng)(sheng)．OH、H2O2．等(deng)自由(you)基和氧化(hua)(hua)性極強的O3，在這一(yi)(yi)過程(cheng)中高(gao)能電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)起決(jue)定性作用，離(li)子(zi)(zi)(zi)的熱運動(dong)只有(you)副作用。常壓(ya)下，氣(qi)(qi)體(ti)放電(dian)(dian)(dian)產生(sheng)(sheng)(sheng)的高(gao)度(du)(du)(du)非平衡(heng)等(deng)離(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)中電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)溫層(ceng)氏度(du)(du)(du)）遠高(gao)于(yu)(yu)氣(qi)(qi)體(ti)溫度(du)(du)(du)（室溫100℃左右）。在非平衡(heng)等(deng)離(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)中可能發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)各種類型的化(hua)(hua)學反應(ying)(ying)，主要(yao)決(jue)定于(yu)(yu)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)的平均能量、電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)密度(du)(du)(du)、氣(qi)(qi)體(ti)溫度(du)(du)(du)、有(you)害氣(qi)(qi)體(ti)分子(zi)(zi)(zi)濃(nong)度(du)(du)(du)和≥氣(qi)(qi)體(ti)成(cheng)(cheng)分。這為(wei)一(yi)(yi)些需要(yao)很大(da)活化(hua)(hua)能的反應(ying)(ying)如大(da)氣(qi)(qi)中難(nan)降解污(wu)染(ran)物(wu)的去除提供了另外(wai)也可以對低(di)濃(nong)度(du)(du)(du)、高(gao)流速(su)、大(da)風量的含(han)揮發(fa)性有(you)機(ji)污(wu)染(ran)物(wu)和含(han)硫(liu)類污(wu)染(ran)物(wu)等(deng)進行處(chu)理。

常(chang)(chang)見的(de)(de)產(chan)(chan)生等(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)的(de)(de)方(fang)法是氣(qi)(qi)體(ti)(ti)放(fang)電(dian)(dian)(dian)，所謂氣(qi)(qi)體(ti)(ti)放(fang)電(dian)(dian)(dian)是指通過某(mou)種(zhong)(zhong)(zhong)機(ji)制(zhi)使一(yi)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)從氣(qi)(qi)體(ti)(ti)原子(zi)(zi)或分(fen)子(zi)(zi)中電(dian)(dian)(dian)離(li)出來，形成(cheng)的(de)(de)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)媒(mei)質(zhi)稱(cheng)為電(dian)(dian)(dian)離(li)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)，如果(guo)電(dian)(dian)(dian)離(li)氣(qi)(qi)由外(wai)電(dian)(dian)(dian)場產(chan)(chan)生并形成(cheng)傳導電(dian)(dian)(dian)流(liu)，這種(zhong)(zhong)(zhong)現象稱(cheng)為氣(qi)(qi)體(ti)(ti)放(fang)電(dian)(dian)(dian)。根據(ju)放(fang)電(dian)(dian)(dian)產(chan)(chan)生的(de)(de)機(ji)理、氣(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)(de)壓j源(yuan)性質(zhi)以及(ji)電(dian)(dian)(dian)極的(de)(de)幾(ji)何形狀、氣(qi)(qi)體(ti)(ti)放(fang)電(dian)(dian)(dian)等(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)主要分(fen)為以下幾(ji)種(zhong)(zhong)(zhong)形式(shi)：①輝光放(fang)電(dian)(dian)(dian)；③介質(zhi)阻(zu)擋放(fang)電(dian)(dian)(dian)；④射頻放(fang)電(dian)(dian)(dian)；⑤微波放(fang)電(dian)(dian)(dian)。無(wu)論哪一(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)形式(shi)產(chan)(chan)生的(de)(de)等(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)，都需要高壓放(fang)電(dian)(dian)(dian)。容易打火產(chan)(chan)生危(wei)險。由于對諸如氣(qi)(qi)態污染(ran)物的(de)(de)治(zhi)理，一(yi)般要求在常(chang)(chang)壓下進行。

4、光(guang)催化和生物(wu)凈化設備：

光催(cui)化是(shi)常(chang)溫深度反應技(ji)術。光催(cui)化氧(yang)化可(ke)在室溫下將水、空(kong)氣和土壤中有機(ji)污染物(wu)完(wan)全氧(yang)化成(cheng)無(wu)毒無(wu)害的(de)產物(wu)，而傳統的(de)高(gao)溫焚燒(shao)技(ji)術則需(xu)要(yao)在極(ji)高(gao)的(de)溫度下才可(ke)將污染物(wu)摧毀，即使(shi)用常(chang)規的(de)催(cui)化、氧(yang)化方法亦需(xu)要(yao)幾(ji)百度的(de)高(gao)溫。

從理論上講(jiang)，只要(yao)半(ban)導體(ti)(ti)吸(xi)收的光(guang)(guang)能不(bu)小(xiao)于其帶隙能，就足(zu)以激發產(chan)生電(dian)子(zi)和空穴，該半(ban)導體(ti)(ti)就有(you)可(ke)能用(yong)作光(guang)(guang)催(cui)化劑(ji)。常見的單一化合物光(guang)(guang)催(cui)化劑(ji)多為金屬氧化物或硫化物，如(ru) Ti0、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些(xie)催(cui)化劑(ji)各自(zi)對(dui)特(te)定反應(ying)有(you)突出優點，具體(ti)(ti)研究中(zhong)可(ke)根(gen)據需(xu)要(yao)選用(yong)，如(ru)CdS半(ban)導體(ti)(ti)帶隙能較小(xiao)，跟太陽光(guang)(guang)譜中(zhong)的近(jin)紫外(wai)光(guang)(guang)段(duan)有(you)較好的匹配性能，可(ke)以很好地利用(yong)自(zi)然(ran)光(guang)(guang)能，但(dan)它容易發生光(guang)(guang)腐蝕，使(shi)用(yong)壽命有(you)限。相對(dui)而言，Ti02的綜(zong)合性能較好，是最(zui)廣泛(fan)使(shi)用(yong)和研究的單一化合物光(guang)(guang)催(cui)化劑(ji)。